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[发明专利]一种方酸锂的制备方法-CN202211586232.0在审
发明人：王珂;张乐欣;陈世安 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C07C45/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种方酸锂的制备方法，具体步骤包括(1)制备碱性的锂源水溶液、(2)方酸与锂源水溶液反应制得方酸锂溶液、(3)交替加入方酸和锂源，提高方酸锂溶液浓度、和(4)提纯，并干燥得到方酸锂固体。相较于现有技术的碱性锂源‑方酸复分解反应，本发明运用独特的交替加料方法，反应体系浓度高，反应产量大，为方酸锂结晶提纯操作创造可调控的任意理想浓度的条件，降温结晶工艺更为可控，制备方法节能绿色。
一种方酸锂制备方法

[发明专利]一种纳米方酸锂及制备方法、正极片和锂电池-CN202210977478.4在审
发明人：李宝华;林逵;徐晓富;秦显营;康飞宇 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C07C45/64 文献下载
摘要：本申请提供了一种纳米方酸锂及其制备方法、正极片和锂电池，所述纳米方酸锂的制备方法包括：将方酸与含锂化合物溶于去离子水中，搅拌，烘干，得到方酸锂粉末，对所述方酸锂粉末进行重结晶析出处理，得到纳米方酸锂粉末本申请中通过将纳米方酸锂作为一种预锂化材料加入到正极片中，对锂电池首次充放电过程中不可逆的锂损失起到补偿作用，进而提升电池的整体容量；对于构建具有实用价值的无负极锂金属电池，该纳米方酸锂可以为负极提供额外的锂源，提高无负极锂金属电池的能量密度及循环稳定性。
一种纳米方酸锂制备方法正极锂电池

[发明专利]铌酸锂半导体结构及其制备方法-CN202011438154.0有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。所述第一方向与所述第二方向相反。
铌酸锂半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯复合方酸锂/钠材料及其制备方法和应用-CN202210707080.9在审
发明人：王珂;王熙;梁志钦 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯复合方酸锂材料及其制备方法和应用，石墨烯复合方酸锂材料中，方酸锂和石墨烯材料的质量比为4:1～49:1。以石墨烯材料为催化剂，能有效降低方酸锂氧化过电势，同时避免过渡金属化合物催化剂引入过渡金属离子，降低循环寿命恶化风险。使用喷雾干燥工艺开发石墨烯材料与方酸锂复合材料混合均匀，石墨烯材料形成的导电网络能有效地将电子快速地传导到方酸锂活性反应中心，有利于提高方酸锂容量的发挥。
一种石墨复合方酸锂材料及其制备方法应用

[发明专利]一种方酸锂材料及其制备方法和应用-CN202211295307.X在审
发明人：岳敏;陈俊奇;夏凡;黄美云 -专利权人：无锡零一未来新材料技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C07C45/64 文献下载
摘要：本发明提供一种方酸锂材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将方酸和锂源干法混合，得到混合物；将所述混合物烧结，得到所述方酸锂材料。本发明提供的制备方法具有无溶剂化的特点，工艺简单、可操作性强、环保性好，适于实现方酸锂材料的工业化应用。通过所述制备方法得到的方酸锂材料的结晶性好，具有显著提高的电导率和电化学活性。所述方酸锂材料作为补锂添加剂，能够有效改善锂离子电池的容量，实现优异的补锂效果。
一种方酸锂材料及其制备方法应用

[发明专利]一种方酸锂及其制备方法和应用-CN202011616037.9有效
发明人：胡彦杰;江浩;李春忠;沈博磊;朱承贤 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C07C45/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种方酸锂及其制备方法和应用，其特征在于，其包括如下步骤：将锂源水溶液和方酸水溶液混合反应，将反应产物进一步制成粉末，再依次用水溶解、速冻、冷冻干燥即可。所述方酸锂采用上述制备方法制备得到，所述方酸锂的厚度为50～100nm。本发明的制备方法过程简单，仅通过简单的冻干处理，得到厚度为50～100nm的均匀纳米片。本发明制得的方酸锂的分解电压大幅降低，同时大大提高了电化学活性，此外，还可作为补锂剂应用于锂硫电池和/或锂离子电池。
一种方酸锂及其制备方法应用

[发明专利]铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件-CN202211665071.4在审
发明人：翟进;周赤;吉贵军;刘昆;陆龙钊;黄杭东;胡志刚 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件，其中铌酸锂脊波导的制作方法包括先在铌酸锂晶圆上生长硬掩模，在形成了刻蚀图形之后进行自对准质子交换，以在铌酸锂晶圆上形成交换区，之后再在铌酸锂晶圆上对交换区进行刻蚀，如此设置一方面可以提高铌酸锂的刻蚀效率，可以将铌酸锂的刻蚀效率提高4至5倍；另一方面，能够提高铌酸锂晶圆刻蚀面的光滑度，进而提高铌酸锂脊波导的良品率。
铌酸锂脊波导制作方法光电器件

[发明专利]钴酸锂细粉在制备钴酸锂正极材料中的应用-CN202210721706.1在审
发明人：朱二涛;陆胡彪;李刚;徐涛;赵亚楠;张媛;吴胜坤 -专利权人：合肥融捷能源材料有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴酸锂细粉在制备钴酸锂正极材料中的应用，所述钴酸锂正极材料的制备包括以下步骤：将锂源、钴源以及掺杂剂混合，随后向其中加入钴酸锂细粉混合均匀，烧结，制得钴酸锂正极材料；或者将锂源、钴源和掺杂剂混合均匀后，烧结获得的半成品一和将钴酸锂细粉和掺杂剂混合均匀后，烧结获得的半成品二批混后，制得钴酸锂正极材料。该钴酸锂细粉在制备钴酸锂正极材料中的应用一方面解决了钴酸锂细粉的回收问题，另一方面制备的钴酸锂正极材料优异的压实和倍率性能，适合大规模工业化生产。
钴酸锂细粉制备钴酸锂正极材料中的应用

[发明专利]一种铌酸锂相位调制器-CN202310583609.5在审
发明人：张思远;王安廷;张家琅;江新华 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌酸锂相位调制器，该铌酸锂相位调制器包括：衬底；在第一方向上依次位于衬底一侧的第一电极、第一隔离层、铌酸锂波导、第二隔离层和第二电极，第一方向垂直于所述衬底所在平面；铌酸锂波导在第一隔离层面向第二隔离层的一侧弯曲设置该铌酸锂相位调制器利用在第一方向上设置两个电极产生垂直分布的电场，改变铌酸锂波导的折射率，进而调制在铌酸锂波导中传输的光，避免占用水平方向的空间；同时铌酸锂波导弯曲设置，可以在水平方向上的有限面积内增加铌酸锂波导的长度，进而增加光被调制的有效长度，从而在有限面积内使铌酸锂相位调制器达到较高的调制深度；并且无需采用谐振腔设计，避免调制出的光学频率存在明显的零级信号。
一种铌酸锂相位调制器

[发明专利]铌酸锂半导体结构的制备方法-CN202111404360.4有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构的制备方法，包括以下步骤：S100，提供铌酸锂材料薄膜，所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向沿第一方向；S200，在所述铌酸锂材料薄膜表面间隔设置多个第一电极层和多个第二电极层，多个所述第一电极层和多个所述第二电极层形成叉指电极；S300，给所述第一电极层和所述第二电极层施加脉冲电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间的所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向反转为沿第二方向，所述第二方向与所述第一方向相反。
铌酸锂半导体结构制备方法

[发明专利]一种锂离子电池镍钴锰酸锂复合正极材料及其制备方法-CN201510295171.6有效
发明人：郑威;王增竹;黄兴兰;蒋正伟 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池镍钴锰酸锂复合正极材料及其制备方法，属于锂电池正极材料技术领域。本发明所述的复合正极材料包括镍钴锰酸锂以及包覆在其表面的钛酸镧锂；所述的复合正极材料的化学式为LiNixCoyMn(1‑x‑y)O2/LizLa(2‑z)/3TiO3，其中0＜x＜1，0＜y＜1，0＜x+y＜1，0.5≤z≤1.5，所包覆的钛酸镧锂的质量百分比为0.5‑1.5%wt。本发明的镍钴锰酸锂复合正极材料表面包覆了一层稳定的导电材料钛酸镧锂。钛酸镧锂一方面结构相当稳定，另一方面有相当高的离子电导率，从而能够在一方面抑制镍钴锰酸锂材料的溶解，在另一方面提高导电性能，因而大大提高材料的倍率性能和循环性能。
一种锂离子电池镍钴锰酸锂复合正极材料及其制备方法

[实用新型]一种薄膜铌酸锂器件-CN202221440585.5有效
发明人：陈泉安;陆明之 -专利权人：宁波元芯光电子科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜铌酸锂器件，所述薄膜铌酸锂器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、铌酸锂层、绝缘层和热电极，所述铌酸锂层为薄膜铌酸锂，所述铌酸锂层包括与热电极对应的热调相移区以及沿第一方向位于热调相移区两侧的铌酸锂波导，所述第一方向为光传导的方向；在铌酸锂层上设置有介质波导，所述介质波导与热电极位置对应并且位于铌酸锂层和热电极之间，所述铌酸锂波导和介质波导共同构成光波导。与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过在热电极的热调相移区形成介质波导，能够避免铌酸锂波导刻蚀产生的Z界面导致的热光偏置相位的改变，从而提供一种消除热电效应电荷积累的热光偏置结构，避免热光偏置工作点漂移
一种薄膜铌酸锂器件

[发明专利]一种碳包覆新型微纳米方晶复合钛酸锂材料的制备方法-CN202211335929.0在审
发明人：熊永莲;魏颖;易婷;侯全会;林圣强;樊永胜;陈玉炜 -专利权人：盐城工学院;盐城工学院技术转移中心有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳包覆新型微纳米方晶复合钛酸锂材料的制备方法，具体包括以下步骤：S1、前驱体的制备；S2、掺杂阳离子钛酸锂的微纳米方晶制备及构建；S3、碳包覆微纳米方晶复合钛酸锂材料合成及微结构调控及优化，本发明涉及钛酸锂材料技术领域。该碳包覆新型微纳米方晶复合钛酸锂材料的制备方法，整体步骤简单，且通过分级筛选的方式，可以对制备的钛酸锂材料的性能进行调控和优化，各向同性碳包覆不但有利于锂离子的从不同方向同时脱碳，同时降低表面活性点，抑制电液的副反应，微米和纳米颗粒的混合有利于混合尺寸颗粒的协同效应，提高材料的振实密度和加工性能，方晶可减小材料表面积以降低颗粒与电解液的接触。
一种碳包覆新型纳米复合钛酸锂材料制备方法

[发明专利]复合钛酸锂材料及其制备方法与锂电池-CN201810992789.1有效
发明人：王锦水 -专利权人：厦门摩帮车联网络科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合钛酸锂材料及其制备方法与锂电池，所述复合钛酸锂材料包括具有空心立方体结构的钛酸锂和包覆在钛酸锂表面的铈锆固溶体，一方面，空心立方体结构的钛酸锂具有较高的比表面积，能够缩短电子传输路径，提高钛酸锂材料的电子导电率，从而能提高制得的锂离子电池的倍率性能和循环性能；另一方面，通过将铈锆固溶体包覆在钛酸锂表面，能够提高微米级立方体形貌钛酸锂整体的稳定性，从而能提高制得的锂离子电池的倍率性能和循环性能，可将以本发明的复合钛酸锂材料为负极材料制得的锂离子电池用于电动车，更进一步地，可将其作为共享锂电池使用。
复合钛酸锂材料及其制备方法锂电池

[发明专利]一种钛酸锂材料及其制备方法-CN201810951301.0有效
发明人：陈程成;赵振博;魏勇;李勇 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锂材料及其制备方法与包含该钛酸锂材料的钛酸锂电池，属于锂离子电池负极材料制备技术领域，本发明所述钛酸锂材料具有空心的立方体结构，一方面，通过空心结构的构筑，能够显著提高钛酸锂材料的比表面积，缩短电子传输路径，提高钛酸锂材料的电子导电率，进而提高其电化学动力学性能；另一方面，通过立方体形貌的设计，能够提高微米级立方体形貌整体的稳定性，同时，还有助于暴露纳米级颗粒的活性晶面，从而能提高钛酸锂材料的倍率性能和电化学活性因此，本发明所述的钛酸锂材料，与现有技术中的钛酸锂相比，比表面积更好、结构更稳定、反应活性更高。
一种钛酸锂材料及其制备方法

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